کاربر گرامی  خوش آمدید ... 

تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM

مشخص نشده
مشخص نشده
17
مشخص نشده
81 KB
20680
قیمت: ۲,۰۰۰ تومان
دانلود مقاله
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM

    ) بهترین فرم شناخته شده حافظه ی کامپیوتر است RAM بعنوان دسترسی بودن ترتیب در نظر گرفته می شود. زیرا شما می توانید مستقیما به سلول حافظه دسترسی پیدا کنید در صورتیکه شما ستون و ردیفی را که همدیگر را قطع کرده اند در آن سلول بشناسید.

    مخالف RAN دسترسی پشت سه هم حافظه یا SAM اطلاعات را بصورت رشته هایی از سلول حافظه که نقطه می تواند بصورت متوالی قابل دسترسی باشد ذخیره می کند (شبیه به یک نوار کاست).

    اگر یک داده در یک موقعیت وجود نداشته باشد. هر سلول حافظه کنترل می شود تا اینکه داده مورد نظر پیدا شود SAM بعنوان ضربه گیر یامیانگیر حافظه خیلی خوب کار می کند. جایی که داده بصورت متعادل و زمان به ترتیبی که استفاده خواهد شد ذخیره می شود. (یک مثال خوب ساختار ضربه گیر حافظه روی ویدئو کارت می باشند)

    در صورتیکه به اطلاعات RAM به هر ترتیب می توان دسترسی یافتن در این مقاله شما یاد خواهید گرفت که RAM چیست. چه نوعی را باید بخرید و چگونه آن را نصب کنید. (عکس شمار یک در این صفحه قرار خواهد گرفت.)

    صفحه 2

    شبیه به یک ریز پردازنده یک تراشه ی حافظه یک مدار یکپارچه ی ساختار شده از میلیون، ترانزیستور و خازن می باشد. رایج ترین شکل حافظه ی کامپیوتر DRAM دسترسی فعال و تصادفی می باشد.

    یک ترانزیستور ویک خازن جفت می شوند تا یک بخش از حافظه را که نمایش می دهد یک ذره مفرد از داده ها وایجاد نمایند خازن یک ذره از اطلاعات را نگه می دارد- یک 0 یا یک 1 (ببینید که چگونه بیت ها و باعیات ها بر روی اطلاعات آن ذره ها کار می کنند) تزانزیستور بعنوان یک سوئیچ که اجازه می دهد چرخه کنترل چپ حافظه را بخواهد ویا حالت آن تغییر دهد عمل می کند.

    یک خازن شبیه به یک سطل کوچک است که می تواند الکترون ذخیره نماید. جهت ذخیره کردن یک عدد یک در سلول حافظه سطل پر از الکترون می باشد جهت ذخیره کردن یک عدد صفر که آن خالی می باشد. مشکل سطل خازن وجود سوراخ و روزن در آن می باشند به خاطر همین امر در طول کمتر از یک میلی ثانیه یک سطل پر از الکترون خالی می شود. بنابراین برای کارکردی حافظه ی فعال حتی CPU یا کنترل کننده ی حافظه مجبور است قبل از اینکه تمام خازن هایی که عدد یک از نمایش می دهند ؟ یا د شارژ شوند در طول حرکت کند و درباره شارژ شود. این عملیات Refresh (تازه کردن) بصورت اتوماتیک هزاران بار در ثانیه اتفاق می افتد.

    صفحه 3

    خازن در یک سلول حافظه RAM فعال شبیه به یک سطل سوراخ است.

    این عملیات Refresh در جایی هست که یک RAM فعال نام خودش را از آن بی گیرد. RAM فعال باید بصورت پویا در هر لحظه تازه شوند در غیر اینصورت فراموش خواهد کرد که چه چیزی را نگه می کرده است. نقطه ی ضعف این عملیات این است که دقت می گیرد و سرعت حافظه را پایین می آورد.

    سلول های حافظه بر روی یک S:l: com wafer نگاشته می شوند. بصورت نمایشی از ستونها یا bitline و ردیفی یا word line تقاطع bit line و word line آدرس یک سلول حافظه را تشکیل می دهد.

    حافظه ساخته شده است از بیت هایی که در یک شبکه شطرنجی دو بعدی مرتب شده اند ساخته شده است در این شکل سلولهای قرمز نمایانگر یک هستند و سلول های سفید نمایانگر صفرها

    در این انیشتین یک ستونی انتخاب شده در ردیف ها شارژ می شوند تا داده را در آن ستون خاص بنویسند.

    صفحه 4

    DRAM کار می کنند بوسیله فرستادن یک شارژ در طول ستون مناسب (CAS) برای فعال کردن ترانزیستور در هر ذره در ستون هنگام نوشتن خطهای ردیفی در بردارنده ی حالتی هستند که خازن باید به خود بگیرد. هنگام خواندن Sense-ampl:f:er مقدار شارژ را در خازن مشخص می کنند. آ؟ از 50% باشد آن را بعنوان یک می خواند در غیر اینصورت آن را بعنوان صفر می خواند. Counten با توالی جدید (Refresh) بر اساس اینکه به کدام ردیفها دسترسی پیدا شود و به چه منظوری مقابله می کند مدت زمانی که برای انجام همه آنها لازم است خیلی کوتاه است. که این در نانو ثانیه نشان داده می شود )10-9 ثانیه) مثلا سرعت یک chip حافظه در 70 نانو ثانیه معنی می دهد که طول می کند، 70 نانو ثانیه برای اینکه کاملا بخواند و درباره هر سلول حافظه را شارژ کند.

    سلول های حافظه به تنهایی بی ارزش خواهند بود بدون راههایی که بخواهیم از داخل ویا بیرون آنها اطلاعات بگیریم. همچنین سلولهای حافظه یک شالوده ی حفاظتی نسبت به دیگر مدارات خاص دارند این مدارها نقش های زیر را ایفا می کنند

    تعریف کردن هر ردیف و ستون (انتخاب آدرس ردیف ها و انتخاب آدرس ستون ها)

    محافظت کردن عمل مقابله با توالی تازه (counter)

    خواندن درباره ذخیره کردن sigal از یک سلول  (sense anplifien)

    صفحه 5

    گفتن به یک سلول که آیا آن باید شارژ بگیرد یا نه (توانایی نوشتن)

    دیگر نقش های کنترل کننده حافظه شامل یک سری از وظایف می شود که شامل تعریف کردن نوع سرعت و مقدار حافظه است. و همچنین چک کردن اشتباهات static RAM (RAM) ایستا از یک تکنولوژی کاملا متفاوت استفاده می کند. در static RAM یک شکل از flip- flop نگه می دارد. هر ذره ای از حافظه را یک Flip- flop برای چهار یا ترانیزیستور در طول نوشتن برای یک سلول حافظه می گیرد اما هرگز نباید که تازه شود. همین امر باعث می شود که  stat: cRASM نسبت به Dynamic RAM  سرعت بالاتری داراست. به هر حال چون Static دارای بخش های بیشتری دارد یک سلول حافظه static فضای بیشتری را نسبت به یک سلول حافظه ای Dynamic RAM اشغال می کند بنابراین شما حافظه کمتری در هر چیپ دارید و همین مسئله static RAM را با ارزش تر و گران قیمت تر می کند بنابراین static RAM برای ایجاد cash ها (نهانخانه هایی) حساس وسرعتی در cpu می باشد در حالی که Dynemic RAM فضای RAM بزرگتر را تشکیل می دهد واحدهای حافظه

    صفحه 6:

    تراشه حافظه در desk top کامپیوتر اصولا از پیکر بندی pin استفاده می کند که جعبه خط داخلی دو تایی یا Dip نامیده می شود این پیکر بندی pin می تواند در داخل سوارخ هایی که در روی مادر برد کامپیوتر وجود دارد لحیم شود. یا در داخل سوکتی که در داخل مادر برد لحیم شده گذاشته شود. این روش بخوبی کار می کند وقتی که کامپیوتر ها نوعا عمل می کنند بر روی یک جفت مگابایت یا با RAM کنند. اما بعنوان یک نیاز برای رشد حافظه تعداد چیپهای نیازشان از نظر؟ ر روی مادربرد افزایش می یابد.

    راه حل جا دادن چیپرهای حافظه در طول اجزای محافظتی بود. بر روی یک تخته چرخه ای چاپ شده یا pcB که می توانست جا داده شود در داخل یک مرتبط دهنده ویژه یا (بانک حافظه) بر روی مادر برد.

    بیشتر این چیپتها استفاده می کنند یک j-ieoal خارج خطی کوچک یا (soj) در پیکر بندی pin تعداد از تولید کنندگان از ساختار کلیچ خارج خطی کوچک ونازک استفاده می کنند. تفاوت کلیدی بین این انواع جدیدتر پیل – ها در شکل DIP اصل این است که چیپت های Soj, Tsop بصورت چسبیده شده ی سطحی

    ادامه صفحه 6

    بر روی PCB هستند. بعارت دیگر پیل ها متسقیما بر روی سطح تخته یا Baard گذاشته شده اند نه اینکه در داخل سوراخ ها یا سوکت ها جا گذاشته شوند.

    چیپ های حافظه به صورت نرمال فقط بعنوان بخشی از یک کارت از Module نامیده می شود در دسترس می باشند.

    صفحه 7

    شما ممکن است تا کنون دیده باشید که حافظه بصورت 8*32 یا 4*16 لیست شده باشد. این شماره ها تعداد چیپتهایی را که با ظرفیت هر کدام ازآنها بصورت انفرادی ضرب شده اند نشان می دهد که با مگابایت یا یک میلیون بیت اندازه گیری می شوند. نتیجه را بدست آورده و آنرا بر 8 تقسیم نمائیند تعداد مگابایت در مدول بدست می آید. بعنوان مثال 4*32 معنی می دهد که مدول چهار تا 32 مگابایت تراشه دارد. چهار را در 32 ضرب کنید 128 مگابیت بدست می آورید. ما می دانیم که هر بایت 8 بیت است پس ما نیاز داریم که تقسیم کنیم نتیجه مان را که 128 است بر 8 نتیجه ی ما 16 مگابایت می باشد. 

  • فهرست و منابع تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM

    فهرست:

    ندارد.
     

    منبع:

    ندارد.

کلمات کلیدی:  N/A
تحقیق در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, مقاله در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, تحقیق دانشجویی در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, مقاله دانشجویی در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, تحقیق درباره تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, مقاله درباره تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, تحقیقات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM, مقالات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله Random access MeMory - RAM
امتیاز کاربران: 

دریافت لینک دانلود به صورت خودکار بلافاصله پس از پرداخت

امکان پرداخت آنلاین از طریق کلیه کارت های عضو شتاب

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول