تحقیق مقاله مدار الکترونیک

تعداد صفحات: 21 فرمت فایل: word کد فایل: 16621
سال: مشخص نشده مقطع: مشخص نشده دسته بندی: مهندسی الکترونیک
قیمت قدیم:۱۲,۵۰۰ تومان
قیمت: ۸,۰۰۰ تومان
دانلود مقاله
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه تحقیق مقاله مدار الکترونیک

    اگه بخواهیم در مورد تاریخچه SCR بگوییم:

    ترانزیستور قابل تحریک PNPN بود که تریستور یا همون یکسو کننده کنترل شونده سیلیکونی SCR  نام گرفت.
    از زمانی که  اولین تریستور ازنوع یکسو کننده کنترل شونده سیلیکونی در اواخر سال 1957 اختراع شد تا زمان حاضر،پیشرفت های زیادی در الکترونیک قدرت رخ داده است.
    تا سال1970 تریستورهای معمولی منحصرا برای کنترل توان در کاربردهای صنعتی بکار میرفتند.
    از سال 1970 به بعد  انواع مختلفی از عناصر نیمه هادی قدرت ساخته شد و به بازار آمد.

    میشه به پنج طبقه تقسیم کرد:
    1-دیودهای قدرت
    2-تریستورها 
     3-ترانزیستورهای پیوند دوقطبی قدرتBJT ها 
    4-MOSFET های قدرت 
     5-ترانزیستورهای دوقطبی باگیت عایق شدهIGBT , و ترانزیستور های با القای استاتیکی SIT

    تریستورها را میتوان به 8 طبقه تقسیم کرد:

    الف) تریستور ها با کموتاسیون اجباری
    ب) تریستور با کموتاسیون خط
    ج) تریستور خاموش شونده از طریق گیت GTO
    د) تریستورهای هدایت معکوسRCT
    ه) تریستور با  القای استاتیک SITH
    و) تریستورهای کمک گیرنده از گیت برای خاموشیGATT
    ز) یکسو کننده های کنترل شونده سیلیکونی فعال شونده با نور LASCR
    ح) تریستورهای کنترل شونده(MOS ( MCT

    تریستور سه سر دارد:
    آند ، ماتد  و  گیت.
    وقتی جریان کوچکی از سر گیت به کاتد برود به شرط آنکه پتانسیل آند از کاتد بیشتر باشد تریستور هدایت میکند.
    هنگامی که تریستور در حال هدایت کردن است مدار گیت کنترلی ندارد و تریستور به هدایت کردن ادامه میدهد.
    زمانی که تریستور در حال هدایت است افت ولتاژ مستقیم روی آن مقدار کمی بین 5. تا 2 ولت دارد.
    برای خاموش کردن تریستور میتوان ولتاژ آند را مساوی یا کوچکتر از کاتد کرد. تریستور ها با کموتاسیون خط بخاطر شکل طبیعی سینوسی ولتاژ ورودی خودشان خاموش میشوند
    و تریستورها با کموتاسیون اجباری توسط یک مدار اضافی که مدار کموتاسیون نام دارد خاموش میشوند.

    نقشه مدار فلاشر 220 ولت


    (تصاویر در فایل اصلی موجود است )
     

    R1___________100K    1/4W Resistor
    R2,R5__________1K    1/4W Resistors
    R3,R6________470R    1/4W Resistors
    R4____________12K    1/4W Resistor
    C1__________1000µF   25V Electrolytic Capacitor
    D1-D4_______1N4007   1000V 1A Diodes D5__________P0102D   400V 800mA SCR
    Q1___________BC327   45V 800mA PNP Transistor Q2___________BC337   45V 800mA NPN Transistor
    PL1__________Male  Mains  plug
    SK1__________Female  Mains  socket

     

     

     

     

     

     

     

     

    میکروفن مخفی بسیار حساس

     

    به وسیله این مدار شخص می تواند مکالمات انجام شده در یک اتاق را از راه دور شنود کند. مدار دارای کیفیت بسیار بالایی می باشد. سیگنالهای صوتی توسط یک میکروفن خازنی دریافت شده و پس از تبدیل به سیگنالهای الکتریکی به اندازه مناسب تقویت می گردد. صدای تقویت شده از طریق یک بلندگو قابل شنود می باشد. این مدار اساساً دارای دو تقویت کننده است. یکی از آنها پیش تقویت کننده (pre amp) میکروفن است و دیگری یک تقویت کننده قدرت کوچک است. طبقه پیش تقویت کننده دارای ضریب تقویت بالایی میباد. برای طبقه قدرت نیز از تراشه LM386  استفاده شده است. این تراشه می تواند با ولتاژهایی بین 6 تا 12 ولت به خوبی کار کند. برای اتصال میکروفن به مدار از یک تکه کابل نواری دو سیمه شیلددار استفاده نمایید. این کابل بهتر است تا حد امکان کوتاه باشد وگرنه در مدار نویز شدیدی ایجاد می گردد.برای تغذیه می توانید از یک منبع ساده 9 ولت استفاده کنید.

    پس از ساخت مدار و بررسی درستی همه اتصالات ، بلنگو را توسط دو رشته سیم معمولی در فاصله چند متری از مدار قرار داده و مدار را آزمایش نمایید.

  • فهرست و منابع تحقیق مقاله مدار الکترونیک

    فهرست:

    ندارد.
     

    منبع:

    ندارد.

تحقیق در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک, مقاله در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک, تحقیق دانشجویی در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک, مقاله دانشجویی در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک, تحقیق درباره تحقیق مقاله مدار الکترونیک, مقاله درباره تحقیق مقاله مدار الکترونیک, تحقیقات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک, مقالات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک ، موضوع انشا در مورد تحقیق مقاله مدار الکترونیک
ثبت سفارش
عنوان محصول
قیمت