تحقیق مقاله حافظه ROM

تعداد صفحات: 7 فرمت فایل: word کد فایل: 15030
سال: مشخص نشده مقطع: مشخص نشده دسته بندی: مهندسی کامپیوتر
قیمت قدیم:۷,۰۰۰ تومان
قیمت: ۵,۰۰۰ تومان
دانلود مقاله
کلمات کلیدی: ROM - حافظه - حافظه ROM - مدار مجتمع
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه تحقیق مقاله حافظه ROM

    حافظه ROM یک نوع مدار مجتمع (IC) است  که در زمان ساخت داده هائی در آن ذخیره می گردد. این نوع حافظه ها علاوه بر استفاده در کامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الکترونیکی نیز به خدمت گرفته می شوند. حافظه های ROM از لحاظ تکنولوژی استفاده شده، دارای انواع متفاوتی است :

     ROM

    PROM

    EPROM

    EEPROM

    Flash Memory

     هر یک از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود  می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:

    داد ه های ذخیره شده در این نوع تراشته ها " غیر فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهند.

    داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

     مبانی حافظه های  ROM
    حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبکه ای از سطر و ستون تشکیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر و ستون در یک نقظه یکدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت  اساسی با تراشه های  RAM می باشند. حافظه RAM از " ترانزیستور " به منظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یک " خازن " در نقاط  برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیکه تراشه های  ROM از یک " دیود" (Diode) استفاده می نماید. در صورتیکه خطوط مربوطه "یک"  باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار "صفر"  باشد خطوط به یکدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا"  امکان حرکت " جریان " را در یک جهت ایجاد کرده و دارای یک نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا" (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می کند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیکون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا" معادل  شش دهم ولت است .با بهره گیری از ویژگی منحصر بفرد دیود،  یک تراشه ROM قادر به ارسال یک شارژ بالاتر از Forward breakover  و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی  ground شده  در یک سلول خاص است .در صورتیکه  دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد،  شارژ هدایت  شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یک )، سلول یک خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیکه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.
    همانطور که اشاره گردید،  تراشه ROM ، مستلزم برنامه نویسی وذخیره داده در زمان ساخت است . یک تراشه استاندارد ROM را نمی توان برنامه ریزی مجدد  و اطلاعات جدیدی را در آن نوشت . در صورتیکه داده ها درست نبوده و یا مستلزم تغییر و یا ویرایش باشند، می بایست تراشه را دور انداخت و مجددا" از ابتدا عملیات برنامه ریزی یک تراشه جدید را انجام داد.فرآیند  ایجاد تمپلیت اولیه برای تراشه های ROM  دشوار است .اما مزیت حافظه  ROM بر برخی معایب آن غلبه می نماید. زمانیکه تمپلیت تکمیل گردید تراشه آماده شده، می تواند بصورت انبوه و با قیمت ارزان به فروش رسد.این نوع از حافظه ها از برق ناچیزی استفاده کرده  ، قابل اعتماد بوده  و در رابطه با اغلب دستگاههای الکترونیکی کوچک، شامل تمامی دستورالعمل های لازم به منظور کنترل دستگاه مورد نظر خواهند بود.استفاده از این نوع تراشه ها در برخی از اسباب بازیها برای نواختن موسیقی، آواز و ... متداول است .

    حافظه PROM
    تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال  به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یک سطر Grounded که نماینگر مقدار "یک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یک تراشه PROM دارای مقدار اولیه " یک" است . به منظور تغییر مقدار یک سلول به صفر، از یک Programmer برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع  اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد کرد. فرآیند فوق را " Burning the PROM " می گویند. حافظه های PROM صرفا" یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده  و یک جریان حاصل  از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فیور در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی  مطلوبی دارند.

  • فهرست و منابع تحقیق مقاله حافظه ROM

    فهرست:

    ندارد
     

    منبع:

    ندارد

تحقیق در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM, مقاله در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM, تحقیق دانشجویی در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM, مقاله دانشجویی در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM, تحقیق درباره تحقیق مقاله حافظه ROM, مقاله درباره تحقیق مقاله حافظه ROM, تحقیقات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM, مقالات دانش آموزی در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM ، موضوع انشا در مورد تحقیق مقاله حافظه ROM
ثبت سفارش
عنوان محصول
قیمت